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臺積電推出性能增強的7nm和5nm制造工藝

52RD.com 2019年7月31日 IT之家            參與:2人 我來說兩句
  

  據外媒anandtech報道,臺積電(TSMC)目前已悄然推出7nm深紫外DUV(N7)和5nm極紫外EUV(N5)制造工藝的性能增強版本。該公司的N7P和N5P技術專為需要7nm設計運行更快或消耗電量更少的客戶設計。

  臺積電全新N7P工藝采用與N7相同的設計規則,優化了前端(FEOL)和中端(MOL),可在相同功率下將性能提升7%,或者在相同的頻率下降低10%的功耗。

  據悉,臺積電最早于今年在日本舉辦的VLSI研討會上透露相關信息,但并沒有廣泛宣傳。N7P采用經過驗證的深紫外(DUV)光刻技術,與N7相比,沒有改變晶體管密度。

  而需要晶體管密度高出約18%至20%的TSMC客戶,預計將使用N7+N6工藝技術。其中,N6工藝技術通過極紫外(EUV)光刻技術進行多層處理。

  此外,臺積電下一個具有顯著密度、改進功耗和性能的主要節點是N5(5nm),提供了一個名為N5P的性能增強版本。該技術采用FEOL和MOL優化功能,以便在相同功率下使芯片的運行速度提高7%,或在相同頻率下將功耗降低15%。

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